![硅基射频器件的建模与参数提取](https://wfqqreader-1252317822.image.myqcloud.com/cover/930/43737930/b_43737930.jpg)
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2.4.2 本征等效电路模型
图2.18给出了八边形片上螺旋电感的等效电路模型,虚线框内为本征基本单元,L0表示本征电感,R1表示损耗电阻,电阻R2和电感L1的并联结构用来模拟趋肤效应。基本单元的Y参数可以表示为:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_25.jpg?sign=1739283750-52afeQ79TI0uzQ0A8AsyjS9TS2BRsgD3-0-9cc45c1b39695c389df11cd4e428a995)
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_26.jpg?sign=1739283750-2lFI1gdEDumSNjBNTrySf3Q2hMQkNIlq-0-9f1e0bf6611115fe7a164dc74e644588)
图2.18 八边形片上螺旋电感的等效电路模型
在低频段,电感L0和L1之和可以通过1/Yint的虚部获得:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_27.jpg?sign=1739283750-YivFQtMqPC4GXcFN43y1XqmFYlABC1Rz-0-fb81835f3397e854de29773945af8c6f)
电阻R1可以由1/Yint的实部确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_28.jpg?sign=1739283750-LJ7mRJRcEV8Q8ZGfGuQ5aiVlbiDirOEu-0-27b6a7f4aae93eccc69d55f537adc6fd)
削去R1+jω(L0+L1)后可以得到:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_29.jpg?sign=1739283750-HhVu17jMDywW3ShwJlwBBe8E3N1qiUtu-0-9fc25980f7825bd427558c5e97486a63)
这样电阻R2和电感L1可以由下面的公式直接确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_30.jpg?sign=1739283750-2GTHiakiL1sAmrXmFmarEk3i1Tl6I9n0-0-8e01945181701ea46da8cd711726ded0)
这里:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_31.jpg?sign=1739283750-QbglQBLANWkYYKBTVMNYhJZ8km1c3ysi-0-6be5f9c3957d25040fb33dff23cf6b92)
由于本征基本单元在整个模型中占主导地位,而衬底效应模型元件不能直接通过解析式确定,所以需要后续优化。因此上述方法可以被视为一个后续优化过程的最初假设,通过该过程可以得到最终的模型参数。